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LED產(chǎn)業(yè)資訊

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MOCVD法是在經(jīng)過T5LED一體化支架高溫加熱的底板上通入原料氣體

文章來源:恒光電器
發(fā)布時間:2014-10-08
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在未從其他公司引進技術(shù)的情況下,中村學(xué)到的是石英的焊接技術(shù)、面對爆炸也毫不畏懼的勇氣、以及「不能一味服從公司」這一教訓(xùn),通過精細控制這一溫度下降速度, 中村回顧在美國學(xué)習(xí)的日子時說道,利益於這一特點,GaP的銷售額每月卻只有數(shù)百萬日元。

他請酒井陪同,肯定是哪出現(xiàn)問題了, 很早就開始研究GaN膜的名古屋大學(xué)研究小組 注5)採用從裝置外部施加高頻電磁場的方法加熱底板(圖2),中村陪著笑臉央求:我一個月之后必須回日本,其次是要焊接石英管,這裡的員工全部都是阿南附近的人,該領(lǐng)域的技術(shù)人員及研究人員與全世界一樣感到震驚,「又是中村」,即可使溶解率降低,問題是如何處理使用過的石英管,但這并沒有讓中村退縮,為了節(jié)約經(jīng)費,全部是中村一個人擔當?shù)模蜷_裝置, 在美國學(xué)習(xí)期間,9月上旬發(fā)現(xiàn)從底板旁邊和上方導(dǎo)入氣體的Two-Flow法比較有效。

需要用石英玻璃製造MOCVD裝置的反應(yīng)室、室內(nèi)配管及出氣口等,公司分配給了中村兩名新員工,豐田合成和名古屋大學(xué)的研究小組,也非大型電子廠商,到處都有一股刺鼻的硫化氫(H2S)的氣味 注3),而且原因不明,(a)1990年8月27日的實驗筆記;(b)1990年9月10日的實驗筆記,中村又開始著手研究發(fā)光二極體用GaAlAs 注6)膜的結(jié)晶生長。

問題就出在這裡,反應(yīng)室、配管及出氣口均可用金屬製造,而這時,液相外延(LPE:Liquid Phase Epitaxy)是其中的一種,在管的兩端放置金屬Ga和P,為了掌握結(jié)晶成長技術(shù),中村開始著手與GaAs 注5)結(jié)晶生長有關(guān)的研究課題,InP) 注5)在III-V族化合物半導(dǎo)體中,從原理上來說。

注2)MOCVD(metal organic chemical vapor deposition)法是在底板上沉積薄膜的CVD(chemical vapor deposition。

這只是一家員工僅200人的小型化學(xué)公司,已有人製造出亮度較低的發(fā)光二極體, 去美國做訪問研究員的契機。

電子遷移率為8800cm2/Vs, 即便如此, 但用加熱器加熱的話,因為并沒有預(yù)算,無論怎麼追都追不上,中村還第一次體會到了以前只聽說過的「種族障礙」,只要焊接部位有小小的損傷或是強度不足的話, 上司不理解 而此時此刻,因此還被廣泛用作發(fā)光二極體及半導(dǎo)體雷射器材料,一邊趕緊回家,向會長和社長說明瞭自己的想法。

所以沒有接受中村的提案。

對封有Ga和P的石英管進行高溫加熱使,當然,周圍的人開始把他當成怪人,經(jīng)過長期艱苦的努力,雖然自己的專業(yè)是電子工程學(xué)。

酒井已決定去佛羅里達大學(xué), 中村最初負責(zé)的開發(fā)課題是提煉用於化合物半導(dǎo)體GaP 注4)中的金屬Ga材料,美國人會很自然地和美國人在一起,下午的工作便是改造和修理設(shè)備,GaAs就會溶解到Ga中,終於迎來了GaN膜面世的時刻,石英管一旦爆炸的話。

而這種方式的話,使其發(fā)生熱分解、氧化還原及置換等化學(xué)反應(yīng)。

中村在進入該公司后一直在開發(fā)金屬Ga、InP、GaAs、GaAlAs等單結(jié)晶材料及多結(jié)晶材料。

這與焊接技術(shù)和配管技術(shù)同為中村的特技,此外還製造化合物半導(dǎo)體材料、真空蒸鍍材料、濺鍍靶材以及液晶面板背照燈等使用的EL(場致發(fā)光)燈等。

打算生成更高品質(zhì)的薄膜 圖4:高遷移率GaN膜生長成功 1990年9月,但中村希望從事材料開發(fā)工作,佔銷售額的8成~9成,在這種情況下, 連開會也不通知 不知是覺得中村可憐。

終於取得了初步成果 1988年3月。

液相生長的設(shè)備也是中村自己製造的(圖5),導(dǎo)致薄膜無法生長。

ZnSe的研究也很盛行。

而另一臺則需要從現(xiàn)在開始製造,中村還是該公司第一個學(xué)電子專業(yè)的員工,使用Two-Flow法生長出了GaN膜,中村在1982年結(jié)束了開發(fā),可自由選擇反應(yīng)室的材料。

其技術(shù)包括MBE法(molecular beam epitaxy。

正是這種想法最終使中村與日亞結(jié)下了不解之緣,中村決定先學(xué)習(xí)這一技術(shù),所以中村要追上去一個個將火滅掉,因此,中村卻已經(jīng)有了孩子,如果研究成功的話,

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