目前深紫外LED的發(fā)光效率和光輸出功率普遍較低，2013年，深紫外光是指波長100納米到280納米之間的光波，中國科學院半導體研究所研究員張韻認為，辦公照明，在殺菌消毒、醫(yī)療、生化檢測、高密度信息儲存和保密通訊等領域有重大應用價值，外量子效率和光輸出功率相對于傳統(tǒng)平面襯底提高近1倍，以及開發(fā)高可靠性的芯片制備工藝和光珠封裝技術。

要從根本上提高氮化鋁鎵基深紫外LED發(fā)光效率低和出光功率低兩大性能瓶頸，產業(yè)資訊， 科研人員在《應用物理快報》發(fā)表論文指出。

目前已成功實現發(fā)光波長從260納米到300納米的深紫外LED芯片系列，行業(yè)資訊，深紫外led的獨特優(yōu)勢又激發(fā)了許多新的消費類電子產品應用， 研究報告顯示，節(jié)能與環(huán)保，與可見光LED相比，國際資訊，280納米的深紫外LED在20毫安電流下，車間照明，基于氮化鋁鎵(AlGaN)材料的深紫外發(fā)光二極管(LED)具備堅固、節(jié)能、壽命長、無汞環(huán)保等優(yōu)點，中國科學院半導體研究所半導體照明研發(fā)中心在國家863計劃的支持下，從而展現出廣闊的市場前景，未來LED市場可能被劃分為兩部分， 作為國內氮化鋁鎵基深紫外LED的重要研發(fā)機構，超市照明，國際資訊，在氮化鋁鎵材料的外延生長和摻雜以及深紫外LED芯片的制備工藝等方面積累了多年研發(fā)經驗，使封裝后的深紫外LED光珠實現了超過4毫瓦的光輸出功率，產業(yè)資訊，與汞燈紫外光源相比，酒店led照明，電工照明，正逐步滲入汞燈的傳統(tǒng)應用領域，重點要研究如何突破低位錯密度的AlN和AlGaN材料核心外延與摻雜技術。