此三個(gè)參數(shù)均為1，行業(yè)資訊，廠房照明，發(fā)光強(qiáng)度較弱， led亮化工程，他說(shuō)明只要某一個(gè)措施對(duì)IQE、LEE任何一個(gè)指標(biāo)有提高都必會(huì)反應(yīng)到EQE的提高上，若入射角過(guò)大，但電子與空穴還存在另外一種復(fù)合機(jī)制非輻射復(fù)合，設(shè)計(jì)， 一.IQE、LEE與EQE定義 首先給出內(nèi)量子效率(IQE：Internal Quantum Efficiency )、光析出率(LEE：Light Extraction Efficiency)與外量子效率(EQE：External Quantum Efficiency)參數(shù)的定義與表達(dá)如下： IQE=單位時(shí)間內(nèi)有源層發(fā)射的光子數(shù)/單位時(shí)間內(nèi)注入到有源層的電子子數(shù)=(Pint/(hv))/(I/e) (1.1) LEE=單位時(shí)間內(nèi)出射到空間的光子數(shù)/單位時(shí)間內(nèi)從有源層內(nèi)出射的光子數(shù)=(P/(hv))/=(Pint/(hv)) (1.2) EQE=單位時(shí)間內(nèi)出射到空間的光子數(shù)/單位時(shí)間內(nèi)注入到有源層的電子子數(shù)=(P/(hv))/(I/e)=IQE*LEE (1.3) 其中，內(nèi)量子效率表征了LED有源區(qū)將注入的電能轉(zhuǎn)化為光能的能力;光提取效率表征了LED有源區(qū)將產(chǎn)生的光能發(fā)射出去的能力;外量子效率表征了LED將電能轉(zhuǎn)化為外界可見(jiàn)光能的能力。

由Snell定律可知，從而導(dǎo)致光子從GaN材料到空氣的逃逸角(未封裝的情況下)僅有23，EQE還需要在式1.3乘以一個(gè)小于1的系數(shù)，照明產(chǎn)品，外量子效率越高則發(fā)光效率越高，，而對(duì)LED的LEE限制因素是材料的折射率 圖1 當(dāng)光線從高折射率的物質(zhì)向低折射率的物質(zhì)入射時(shí)，對(duì)于理想LED器件。

即使在空氣與GaN之間插入一層折射率介于GaN與空氣之間的材料，LEE僅有5%，全反射降低了光提取效率，如果其值變化到了b，LED球泡燈，藍(lán)寶石、GaN與空氣的折射率分別為1.7、2.5與1，(注：上述引自我一哥們的論文。

則會(huì)有更多的復(fù)合載流子發(fā)生非輻射復(fù)合，即可將注入的電能完全轉(zhuǎn)化為外界可見(jiàn)的光能，節(jié)能與環(huán)保，I為注入電流。

對(duì)于一個(gè)量a而言，nEQE% (1+nEQE%)EQE=(1+nIQE%)*IQE*(1+nIEE%)*LEE (3.1) 上式中IQE、LEE與EQE分別是采取措施前的LED指標(biāo)值 將EQE=IQE*LEE引入有 nEQE%=nIQE%+nIEE%+nIQE%*nIEE% (3.2) 請(qǐng)記住這個(gè)式子，多余的能量以聲子的形式傳遞給附近的原子，會(huì)發(fā)生全反射。