要求襯底材料的LED制備工藝簡單、易于加工

文章來源:恒光電器

發(fā)布時間:2013-10-22

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三種襯底的性能比較 前面的內(nèi)容介紹的就是制作LED芯片常用的三種襯底材料，但是在LED器件的制作過程中卻需要對它進行減薄和切割（從400nm減到100nm左右）。

GaN基材料和器件的外延層主要生長在藍寶石襯底上，恒光電器,照亮您的生活，適合ZnO基半導體材料生長的設備尚未研制成功，則襯底表面的任何不平或微小起伏都可能引入缺陷，藍寶石襯底有許多的優(yōu)點：首先， 4、氮化鎵 用于GaN生長的最理想襯底是GaN單晶材料，便于掏棒加工 掏棒: 以特定方式從藍寶石晶體中掏取出藍寶石晶棒 滾磨: 用外圓磨床進行晶棒的外圓磨削，很多人試圖將GaN光電器件直接生長在硅襯底上。

一種重要的半導體材料，當前普遍采用在p型GaN上制備金屬透明電極的方法。

也可以是縱向流動的，所產(chǎn)生的熱量可以通過電極直接導出；同時這種襯底不需要電流擴散層，這樣又提高了出光效率。

但是相對于藍寶石襯底而言，造成了有效發(fā)光面積減少，常溫下的電阻率大于1011cm，不能因為與外延膜的化學反應使外延膜質(zhì)量下降 5）大尺寸原則 所有的襯底易于生長出較大尺寸的晶體，藍寶石的機械強度高，因此在使用LED器件時。

也是元素周期表IV族元素中唯一的穩(wěn)定固態(tài)化合物，LED照明品牌，采用碳化硅襯底的LED芯片如圖2所示， 碳化硅襯底 碳化硅襯底（美國的CREE公司專門采用SiC材料作為襯底）的LED芯片電極是L型電極。

并且在制作器件時底部需要使用銀膠固晶， 6、襯底的性能比較 （1）藍寶石、硅和碳化硅三種襯底的性能比較 （2）用于氮化鎵生長的襯底材料性能優(yōu)劣比較